台积电3nm采用的鳍式场效电晶体架构三星采用全新的环绕闸极技术

来源:快科技 2021-12-07 11:42:00  阅读量:15908   

此前,有消息称台积电将在明年四季度开始量产3nm芯片但现在又有消息指出,3nm芯片量产的时间可能要提前一段时间

台积电3nm采用的鳍式场效电晶体架构三星采用全新的环绕闸极技术

,据财联社报道,台积电3nm工艺有望明年第二季度量产,且目前已进入试产阶段这与此前四季度开始量产的消息相比,大大提前了两个季度

有分析认为,三星曾称其3nm要抢先台积电,于明年上半年量产,这可能刺激到了台积电,因此,台积电决定提前量产3nm工艺。

事实上,台积电与三星在3nm架构上完全不同台积电3nm采用的还是鳍式场效电晶体架构,而三星则采用全新的环绕闸极技术至于两者性能表现如何,要看芯片在终端上的表现,但这还需要一段时间才能印证

如果台积电真的将3nm工艺的量产时间提前到明年二季度,那就意味着台积电能够提前完成3nm工艺的量产工作和备货工作而如果没有意外,苹果iPhone 14将会在明年发布,到时候就有机会搭载3nm的芯片,性能无疑会更加强大

有业界人士透露,台积电若能提前量产3nm,联发科,英伟达等大厂预计会成为其第一批客户。根据之前公开的信息,第一代在3纳米的功耗将比5纳米低25-30%,性能将提高10-15%,晶体管密度将提高70%。在垂直比较中,从小于5纳米到7纳米的变化坦率地说是令人失望的。。

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