韩国半导体生产企业SK海力士于当地时间8日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的世界闪存峰会“FMS 2023”上公布了321层4D闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。

NAND闪存根据在1个单元中储存多少个信息来区分规格。SLC为1个，MLC为2个，TLC为3个，QLC为4个，PLC为5个等。随着信息存储量的增加，在同一晶圆面积上可储存更多的数据。

SK海力士在存储器业界首次公开300层以上NAND的具体开发过程，并表示将在2025年上半年实现量产目标。321层1Tb TLC NAND与上一代238层512Gb NAND相比，生产效率提高了59%。由于数据存储的单元能以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

SK海力士在峰会上还推出了针对高性能存储需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案:采用PCIe 5接口的企业级固态硬盘及UFS 4.0。该企业同时还表示，正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，以适应未来更高的存储和运算需求。